制造商:
STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-220-3
晶體管極性:
N-Channel
通道數(shù)量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
60 V
Id-連續(xù)漏極電流:
55 A
Rds On-漏源導通電阻:
18 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 16 V, + 16 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
1 V
Qg-柵極電荷:
27 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
95 W
通道模式:
Enhancement
封裝:
Tube
商標:
STMicroelectronics
配置:
Single
下降時間:
20 ns
正向跨導 - 最小值:
30 S
高度:
9.15 mm
長度:
10.4 mm
產(chǎn)品類型:
MOSFET
上升時間:
100 ns
系列:
STP55NF06L
工廠包裝數(shù)量:
1000
子類別:
MOSFETs
晶體管類型:
1 N-Channel Power MOSFET
類型:
MOSFET
典型關閉延遲時間:
40 ns
典型接通延遲時間:
20 ns
寬度:
4.6 mm
單位重量:
2 g
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