產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 170 mA
Rds On-漏源導通電阻: 5.8 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 1 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 360 mW
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
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