TAJC106M035RNJ_TAJC106M035RNJ導讀
所以管子的穩(wěn)定性和制造工藝密不可分，差的工藝可能導致這些小管的參數(shù)不那么一致。它們的各種開關(guān)動作幾乎是一致，當然燒壞時，肯定有先承受不了的小管先壞。
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TAJE106M050RNJ
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會慢于MOSFET，因為IGBT存在關(guān)斷拖尾時間，由于IGBT關(guān)斷拖尾時間長，死區(qū)時間也要加長，從而會影響開關(guān)頻率。 IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。MOS管和IGBT的結(jié)構(gòu)特點 MOS管和IGBT管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示。
對于P型MOS管，若S的電壓比G處高（G、S間存在壓差，具體電平看具體MOS管 ），D、S之間就會導通（電壓方向S指向D），此時D、S間相當于一個很小的電阻，若G、S之間為低（具體電平看具體MOS管 ），D、S之間就會截止 ，此時D、S間相當于一個很大的電阻，電流就無法流過。
040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。
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TLJA157M004R0800
。N型MOS管應用的場景更多，相比于比P型MOS管，其優(yōu)點如下 1、開關(guān)速度更快 2、耐壓更高 3、通過的電流更大下面是N型MOS管的一個簡單的引用電路，當G端通入高電平，MOS管D、S間導通，此時MOS管導通，電機的電流得以通過，電機轉(zhuǎn)動。當G端為低電平的時候，D、S間無法導通，電機也就無法運行。
如果控制G的GPIO的電壓區(qū)域為1.8V，那么GPIO高電平的時候為1.8V，GS為1.8-2.8=-1V，mos管導通，不能夠關(guān)斷。這種情況下GPIO就不能夠控制mos管的導通和關(guān)閉。那么和G相連的GPIO高電平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管關(guān)斷，低電平使mos管導通。 GPIO為低電平的時候，假如0.1V，那么GS為0.1-2.8=-2.7V,mos管導通。
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
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總的來說，MOSFET優(yōu)點是高頻特性好，可以工作頻率可以達到幾百kHz、上MHz，缺點是導通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場合下表現(xiàn)卓越，其導通電阻小，耐壓高。
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