TAJC106M010RNJ_TAJC106M010RNJ導(dǎo)讀
MOS管在硬件設(shè)計(jì)中經(jīng)常使用到，下面是N型MOS管，包括柵極G，源極S，漏級(jí)D。
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TLJR226M010R3800
IGBT是通過(guò)在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會(huì)慢于MOSFET，因?yàn)镮GBT存在關(guān)斷拖尾時(shí)間，由于IGBT關(guān)斷拖尾時(shí)間長(zhǎng)，死區(qū)時(shí)間也要加長(zhǎng)，從而會(huì)影響開關(guān)頻率。 IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn)，但I(xiàn)GBT克服了這一缺點(diǎn)，在高壓時(shí)IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻。MOS管和IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) MOS管和IGBT管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示。
MOS管和三極管類似，只不過(guò) MOS管是壓控壓型（電壓控制），而三極管是流控流型（電流控制）。。至于MOS管的使用，N型與P型存在區(qū)別，對(duì)于應(yīng)用，我們只需要知道： 1、對(duì)于N型MOS管，若G的電壓比S處高（G、S間存在壓差，具體電平看具體MOS管 ），D、S（電壓方向D指向S）之間就會(huì)導(dǎo)通，此時(shí)D、S間相當(dāng)于一個(gè)很小的電阻，若G、S之間為低（具體電平看具體MOS管 ），D、S之間就會(huì)截止，此時(shí)D、S間相當(dāng)于一個(gè)很大的電阻，電流就無(wú)法流過(guò)。
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。
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TAJC337M006RNJ
P溝道的源極S接輸入，漏極D導(dǎo)通輸出，N溝道相反說(shuō)白了給箭頭方向相反的電流就是導(dǎo)通，方向相同就是截止。
。N型MOS管應(yīng)用的場(chǎng)景更多，相比于比P型MOS管，其優(yōu)點(diǎn)如下 1、開關(guān)速度更快 2、耐壓更高 3、通過(guò)的電流更大下面是N型MOS管的一個(gè)簡(jiǎn)單的引用電路，當(dāng)G端通入高電平，MOS管D、S間導(dǎo)通，此時(shí)MOS管導(dǎo)通，電機(jī)的電流得以通過(guò)，電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)。當(dāng)G端為低電平的時(shí)候，D、S間無(wú)法導(dǎo)通，電機(jī)也就無(wú)法運(yùn)行。
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。
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NCE20ND06 NCE2008N NCE2312 NCE2312A NCE8205A 。
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