TAJC106K016RNJ_TAJC106K016RNJ導(dǎo)讀
MOS管和三極管類似，只不過 MOS管是壓控壓型（電壓控制），而三極管是流控流型（電流控制）。
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TAJV227K016RNJ
06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。
BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。
對于P型MOS管，若S的電壓比G處高（G、S間存在壓差，具體電平看具體MOS管 ），D、S之間就會導(dǎo)通（電壓方向S指向D），此時D、S間相當(dāng)于一個很小的電阻，若G、S之間為低（具體電平看具體MOS管 ），D、S之間就會截止 ，此時D、S間相當(dāng)于一個很大的電阻，電流就無法流過。
040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。
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TAJA684M050RNJ
1、P溝道m(xù)os管作為開關(guān)，柵源的閥值為-0.4V，當(dāng)柵源的電壓差為-0.4V就會使DS導(dǎo)通，如果S為2.8V，G為1.8V，那么GS=-1V，mos管導(dǎo)通，D為2.8V 如果S為2.8V，G為2.8V，VGSw 那么mos管不導(dǎo)通，D為0V，所以，如果2.8V連接到S，要mos管導(dǎo)通為系統(tǒng)供電，系統(tǒng)連接到D，利用G控制。
051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。
060322R5% 0603270K5% 0603270R5% 060327K5% 0603330R5% 。
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
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至t3時刻,MOSFET的DS電壓降至飽和導(dǎo)通時的電壓,Millier效應(yīng)影響變小，Cgd 電容變小并和Cgs 電容一起由外部驅(qū)動電壓充電, Cgs 電容的電壓上升,至t4時刻為止.此時C gs 電容電壓已達(dá)穩(wěn)態(tài),DS間電壓也達(dá)最小，MOSFET完全開啟。
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