是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Transferred
Objectid
2026527725
零件包裝代碼
TO-252AA
包裝說(shuō)明
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
針數(shù)
3
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代碼
EAR99
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
5.26
其他特性
AVALANCHE RATED
雪崩能效等級(jí)（Eas）
71 mJ
外殼連接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
55 V
最大漏極電流 (Abs) (ID)
17 A
最大漏極電流 (ID)
17 A
最大漏源導(dǎo)通電阻
0.075 Ω
FET 技術(shù)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-252AA
JESD-30 代碼
R-PSSO-G2
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級(jí)
1
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
175 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
45 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
68 A
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
子類別
FET General Purpose Power
表面貼裝
YES
端子面層
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間
30
晶體管應(yīng)用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
