TAJE477K010RNJ_TAJE477K010RNJ導讀
。Q3和Q4用來提供驅動電流，由于導通的時候，Q3和Q4相對Vh和GND最低都只有一個Vce的壓降，這個壓降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。
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TAJC475M025RNJ
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。
必要的時候可以在R4上面并聯加速電容。R1提供了對Q3和Q4的基極電流限制，R4提供了對MOS管的gate電流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。。
BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。
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TLJG686M006R0800
MOS管是金屬 (metal) — 氧化物 (oxide) — 半導體 (semiconductor) 場效應晶體管，或者稱是金屬 — 絕緣體 (insulator) — 半導體。
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。
060322R5% 0603270K5% 0603270R5% 060327K5% 0603330R5% 。
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]區(qū)間,MOSFET的DS電壓降至與Vgs相同,產生Millier效應，Cgd電容大大增加,柵極電流持續(xù)流過，由于C gd 電容急劇增大，抑制了柵極電壓對Cgs 的充電,從而使得Vgs 近乎水平狀態(tài)，Cgd 電容上電壓增加,而DS電容上的電壓繼續(xù)減小。
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