TAJE477M006RNJ_TAJE477M006RNJ導(dǎo)讀
同時(shí)，如果簡(jiǎn)單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會(huì)出現(xiàn)輸入電壓比較高的時(shí)候，MOS管工作良好，而輸入電壓降低的時(shí)候gate電壓不足，引起導(dǎo)通不夠徹底，從而增加功耗。
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TAJE157M020RNJ
在這種情況下，當(dāng)提供的驅(qū)動(dòng)電壓超過穩(wěn)壓管的電壓，就會(huì)引起較大的靜態(tài)功耗。為了讓MOS管在高gate電壓下安全，很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制gate電壓的幅值。
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
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TAJB336K010RNJ
另一種晶體管叫做場(chǎng)效應(yīng)管 (FET) ，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比 (beta) 。
0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。
因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體 (MOS) 晶體管，或金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 (MOSFET) 。
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
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NCE20ND06 NCE2008N NCE2312 NCE2312A NCE8205A 。
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