TAJV686M035RNJ_TAJV686M035RNJ導(dǎo)讀
R5和R6是反饋電阻，用于對(duì)gate電壓進(jìn)行采樣，采樣后的電壓通過(guò)Q5對(duì)Q1和Q2的基極產(chǎn)生一個(gè)強(qiáng)烈的負(fù)反饋，從而把gate電壓限制在一個(gè)有限的數(shù)值。這個(gè)數(shù)值可以通過(guò)R5和R6來(lái)調(diào)節(jié)。
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TAJC106M035RNJ
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
Q1和Q2組成了一個(gè)反置的圖騰柱，用來(lái)實(shí)現(xiàn)隔離，同時(shí)確保兩只驅(qū)動(dòng)管Q3和Q4不會(huì)同時(shí)導(dǎo)通。
060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。
057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5% 。
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TAJC474M050RNJ
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
MOS管是金屬 (metal) — 氧化物 (oxide) — 半導(dǎo)體 (semiconductor) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬 — 絕緣體 (insulator) — 半導(dǎo)體。
060322R5% 0603270K5% 0603270R5% 060327K5% 0603330R5% 。
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結(jié)構(gòu)和符號(hào) (以N溝道增強(qiáng)型為例) —— 在一塊濃度較低的P型硅上擴(kuò)散兩個(gè)濃度較高的N型區(qū)作為漏極和源極，半導(dǎo)體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個(gè)電極作為柵極。
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