TLJK476M004R1500_TLJK476M004R1500導讀
這個內(nèi)阻大小基本決定了MOS管芯片能承受得多大導通電流（當然和其它因素有關(guān)，如熱阻）。內(nèi)阻越小承受電流越大（因為發(fā)熱小）。這個電流通路的電阻被稱為MOS管內(nèi)阻，也就是導通電阻。
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TAJA225K025RNJ
·對微弱的信號進行放大：基極輸入一個很小的信號就會引起集電極很大的電流變化，這是電子電路中一個最重要也是最核心的部分。
BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
截止狀態(tài):三極管發(fā)射結(jié)的電壓小于PN結(jié)的導通電壓，基極電流為零，集電極電流和發(fā)射極電流都為零，三極管這時便失去了電流放大作用,集電極和發(fā)射極之間相當于開關(guān)的斷開狀態(tài)，我們稱三極管處于截止狀態(tài)。
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TAJC337M004RNJ
BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。
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]區(qū)間,MOSFET的DS電壓降至與Vgs相同,產(chǎn)生Millier效應，Cgd電容大大增加,柵極電流持續(xù)流過，由于C gd 電容急劇增大，抑制了柵極電壓對Cgs 的充電,從而使得Vgs 近乎水平狀態(tài)，Cgd 電容上電壓增加,而DS電容上的電壓繼續(xù)減小。
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