TLJN686M004R8000_TLJN686M004R8000導(dǎo)讀
這個(gè)內(nèi)阻大小基本決定了MOS管芯片能承受得多大導(dǎo)通電流（當(dāng)然和其它因素有關(guān)，如熱阻）。內(nèi)阻越小承受電流越大（因?yàn)榘l(fā)熱�。�。這個(gè)電流通路的電阻被稱為MOS管內(nèi)阻，也就是導(dǎo)通電阻。
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三極管的這種狀態(tài)我們稱之為飽和導(dǎo)通狀態(tài)。飽和導(dǎo)通狀態(tài):當(dāng)加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓大于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓，并當(dāng)基極電流增大到一定程度時(shí)，集電極電流不再隨著基極電流的增大而增大，而是處于某一定值附近不怎么變化，這時(shí)三極管失去電流放大作用，集電極與發(fā)射極之間的電壓很小，集電極和發(fā)射極之間相當(dāng)于開關(guān)的導(dǎo)通狀態(tài)。
057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5% 。
�！び米鳠o觸點(diǎn)開關(guān)：利用三極管的截止和導(dǎo)通特性來控制或驅(qū)動(dòng)負(fù)載;比如由三極管組成的門電路、開關(guān)電源等。
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
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TAJA155M010RNJ
BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能，這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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NCE2302C NCE8205t NCE2004Y NCE2006Y NCE2007NS 。
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