NCV84160DR2G

參數(shù)名稱 參數(shù)值
Source Content uid NCV84160DR2G
Brand Name ON Semiconductor
是否無鉛 不含鉛
生命周期 Active
Objectid 8325175417
包裝說明 SOIC-8
制造商包裝代碼 751-07
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8542.39.00.01
Factory Lead Time 51 weeks
風(fēng)險等級 5.81
Samacsys Description 160MOHM SMARTFET
Samacsys Manufacturer onsemi
內(nèi)置保護 OVER CURRENT; THERMAL; OVER VOLTAGE; UNDER VOLTAGE; TRANSIENT
接口集成電路類型 BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代碼 R-PDSO-G8
JESD-609代碼 e4
長度 4.9 mm
濕度敏感等級 3
功能數(shù)量 1
端子數(shù)量 8
輸出電流流向 SINK
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝代碼 SOP
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
篩選級別 AEC-Q100
座面最大高度 1.75 mm
最大供電電壓 28 V
最小供電電壓 4.5 V
標稱供電電壓 13.5 V
表面貼裝 YES
端子面層 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING
端子節(jié)距 1.27 mm
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
寬度 3.9 mm