NTZD3154NT1G

製造商: onsemi
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: SOT-563-6
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 20 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 570 mA
Rds On - 漏-源電阻: 550 mOhms, 550 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 7 V, + 7 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 450 mV
Qg - 閘極充電: 1.5 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 280 mW
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: onsemi
配置: Dual
下降時(shí)間: 8 ns, 8 ns
互導(dǎo) - 最小值: 1 S, 1 S
高度: 0.55 mm
長度: 1.6 mm
產(chǎn)品: MOSFET Small Signal
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 4 ns, 4 ns
系列: NTZD3154N
4000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時(shí)間: 16 ns, 16 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時(shí)間: 6 ns, 6 ns
寬度: 1.2 mm
每件重量: 3 mg