NVS4001NT1G

製造商: onsemi
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: SOT-323-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 30 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 270 mA
Rds On - 漏-源電阻: 1.5 Ohms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 800 mV
Qg - 閘極充電: 900 pC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 330 mW
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: onsemi
配置: Single
下降時(shí)間: 82 ns
互導(dǎo) - 最小值: 80 mS
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 23 ns
系列: NTS4001N
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時(shí)間: 94 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時(shí)間: 17 ns
每件重量: 6 mg