類別
分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
Product Status
在售
FET 類型
P 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
2.6A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
135 毫歐 @ 2.6A，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 10μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
2.9 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
220 pF @ 16 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.3W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
Micro3™/SOT-23
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本產(chǎn)品編號
IRLML2246
IRS2005STRPBF
IRS2003STRPBF
IRS2092STRPBF
IRF4905STRLPBF
IRLR8726TRLPBF
IRFS7440TRLPBF
IRLML0060TRPBF
