類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®, StrongIRFET™
包裝
管件
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
195A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
2 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
3.7V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
411 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
13703 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
375W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-220AB
封裝/外殼
TO-220-3
基本產(chǎn)品編號
IRFB7530
IRF4905PBF
IRFB3206PBF
IRFB7434PBF
IRFB7430PBF
IRFB7437PBF
