製造商: Infineon
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): SiC
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 650 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 45 A
Rds On - 漏-源電阻: 64 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 5 V, + 23 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 5.7 V
Qg - 閘極充電: 33 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 183 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Infineon Technologies
產(chǎn)品: MOSFET
產(chǎn)品類型: MOSFET
1000
子類別: MOSFETs
零件號別名: IMBG65R048M1H SP005539172
IMBG65R048M1HXTMA1
發(fā)布時間:2022/8/11 11:23:00 訪問次數(shù):72 發(fā)布企業(yè):深圳市科雨電子有限公司
同公司其他新聞- 10-291-770849-0
- 10-29USB-TMPD-M02-X
- 10-293403.0276.11
- 10-29DMS-BZL1-C
- 10-29IXFK120N30P3
- 10-2953RAA-R25-A15L
- 06-10EZR32LG230F256R68G-C0
- 06-10CC3235SM2RGKR
- 06-10CC3135RNMRGKR
- 06-10CC2642R1FRGZR
- 06-10CC1312R1F3RGZR
- 06-10CC1352R1F3RGZR
