IRF9Z34NPBF
制造商:
Infineon
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細(xì)信息
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-220-3
晶體管極性:
P-Channel
通道數(shù)量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
55 V
Id-連續(xù)漏極電流:
17 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
100 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
4 V
Qg-柵極電荷:
23.3 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
56 W
通道模式:
Enhancement
封裝:
Tube
商標(biāo):
Infineon / IR
配置:
Single
高度:
15.65 mm
長(zhǎng)度:
10 mm
產(chǎn)品類型:
MOSFET
工廠包裝數(shù)量:
2000
子類別:
MOSFETs
晶體管類型:
1 P-Channel
寬度:
4.4 mm
零件號(hào)別名:
IRF9Z34NPBF SP001560182
單位重量:
2 g
IRF9Z34NPBF
發(fā)布時(shí)間:2022/8/30 10:03:00 訪問次數(shù):49 發(fā)布企業(yè):深圳市科雨電子有限公司
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