類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包裝
管件
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
130A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
9.7 毫歐 @ 81A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）
241 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
10720 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
520W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-247AC
封裝/外殼
TO-247-3
基本產(chǎn)品編號(hào)
IRFP4668
IKW40N65ES5
IKW25N120H3
TLC59108FIPWR
TPS7A8400RGRR
TPS81256SIPR
TLV2376IDR
