NVMTS0D6N04CTXG

參數(shù)名稱 參數(shù)值
Source Content uid NVMTS0D6N04CTXG
Brand Name ON Semiconductor
是否無鉛 NVMTS0D6N04CTXG 不含鉛
NVMTS0D6N04CTXG Active
Objectid 8344237451
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
制造商包裝代碼 507AP
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Philippines
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 77 weeks
Date Of Intro 2019-01-08
風(fēng)險等級 7.55
Samacsys Description Power MOSFET 40 V, 0.48 m, 533 A, Single N−Channel
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2020-05-02 07:11:14
YTEOLNVMTS0D6N04CTXG 5.67
雪崩能效等級（Eas） 2058 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 40 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 533 A
最大漏極電流 (ID) 533 A
最大漏源導(dǎo)通電阻 0.00048 Ω
FET 技術(shù) METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反饋電容 (Crss) 199 pF
JESD-30 代碼 R-PDSO-F5
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數(shù)量 1
端子數(shù)量 5
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 175 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） NVMTS0D6N04CTXG
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 245 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 900 A
參考標(biāo)準(zhǔn) AEC-Q101
表面貼裝 YES
端子面層 MATTE TIN
端子形式 NVMTS0D6N04CTXG
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管元件材料 SILICON
參數(shù)規(guī)格與技術(shù)文檔 全部數(shù)據(jù)手冊技術(shù)文檔 全部 全部 數(shù)據(jù)手冊 技術(shù)文檔 下載: NVMTS0D6N04CTXG ON Semiconductor 相關(guān)器件
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