制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續(xù)漏極電流: 10 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 650 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V
Qg-柵極電荷: 21 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 42 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: UniFET FRFET
封裝: Tube
商標(biāo): onsemi / Fairchild
配置: Single
下降時(shí)間: 35 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 11 S
高度: 16.07 mm
長度: 10.36 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 45 ns
系列: FDPF12N50UT
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 60 ns
典型接通延遲時(shí)間: 35 ns
寬度: 4.9 mm
單位重量: 2 g
GD25B64CSIGR
GD32F103TBU6 存儲(chǔ)IC
GD32F303CCT6
GD32F103RBT6
GD25Q64CWIGR
GD25Q64CWIGR
GD25Q16CSIG
GD25Q16CSIGR
GD25Q128ESIGR
GD25Q80CSIG
GD25Q16CSIG
GD25Q128ESIGR
GD32F103CBT6
GD32F103RET6
GD32F103RCT6
GD32F303VCT6
GD32F105VCT6
GD32E230C8T6
GD32F303CCT6
GD32F130C8T6
GD32F107RCT6
GD32F405RGT6
GD25Q80BSIG
GD25Q80BSIG
GD32F150G8U6TR
GD32F150G8U6TR
GD32F150G8U6TR
GD25LQ64CWIG
GD5F1GQ4UAYIG
GD25Q20UIPR
GD25Q128BYIGR
GD25Q16BWIG
GD25Q16BPIG
GD25Q128BYIGR
GD32F150G8U6TR
GD25Q16ETIGR
GD25Q16ESIG
GD25Q41BTIGR
GD25Q40BTIG IC
GD25Q32ESIG IC
GD25Q64CWIGR IC
GD25Q16ETIGR
GD25LQ32DNIGR
GD25LQ256DWIGR
GD25LQ64CLIGR-SG
GD25LQ64EVIGR IC
GD25LQ64EWIGR
GD25Q32CSIG IC
GD5F2GQ5UEYIGR
GD25Q64CWIGR
GD25Q41BTIGR
GD25Q16ETIGR
GD25LQ256DWIGR
GD25Q80CSIG
GD25Q40BTIG
GD25Q32CSIG
GD25Q80EEIGR IC
GD25Q80CSIG IC
1N5392
GD25Q16CSIG 存儲(chǔ)IC
GD32F103RCT6
LB10S 整流橋
GD74HC368
GD25Q32CSIG 存儲(chǔ)IC
GD25D05BOIG
GD25LQ40BOIG
MD25Q32SIG
GD25LH16MIG
GD25LQ80MIG
GD25Q80BMIG
GD25LQ64CVIG
GD25LQ128CVIG
GD25Q128CVIG
GD5F4GQ4UAYIG
GD5F4GQ4UAYIG
GD25Q16BVIG
W25Q40CVUXAG
GD25Q16CSIG 存儲(chǔ)IC
GD5801
GD5805
GD5800
GD5806
GD5801
GD5800
GD25Q40TIG
GD25Q41BSIG
GD25Q40CSIG
GD25Q40UIGR
GD25Q41BTIG
GD25Q40CTIG
GD25Q41BWIGR
GD25Q40BUIGR
GD25Q40BSIGY
GD25Q41BUEGR
GD5F1GQ4RAYIGR 內(nèi)存芯片
GD5F1GQ4RA9IG
GD5F1GQ4UDYIG
GD5F1GQ4RD9IG
GD5F1GQ4RAYIGR
GD5F1GQ4UAYIGY