制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 7 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 440 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 63 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 38.5 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標(biāo): onsemi / Fairchild
配置: Single
下降時(shí)間: 65 ns
高度: 16.07 mm
長度: 10.36 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 125 ns
系列: FDPF15N65
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 105 ns
典型接通延遲時(shí)間: 65 ns
寬度: 4.9 mm
單位重量: 2 g
GD5F1GQ4RAYIGR 內(nèi)存芯片
GD25B64BPIG 內(nèi)存芯片
GD25B64CSIG
GD25B64BSIG
GD25B64BWIG
GD25B64CWIG
GD25B64CPIG
GD25B64BSIG 內(nèi)存芯片
GD25B64BPIG
GD25B64CWIG
GD25B64OPIG
GD25D05BOIG
GD25D05BTIG
GD25D05BUIG
GD25D05BTIG 內(nèi)存芯片
GD25D05BUIG
GD25D05TIG
GD25D05BOIG
GD25D05BTIGR
GD25D05BUIGR
GD32F150R8T6 電源IC
GD32E230F4P6TR
GD32F150R8T6 電源IC
GD32F130F4P6
GD32F103RCT6
GD32F330C8T6
GD32F303CCT6
GD32E230F4P6
GD32E230C8T6
MD25D16SIG
GD25Q40UIG
GD25Q128BFIG
GD25Q40BUIGR
GD25Q128BYIGR
GD32F103CBT6 存儲IC
GD25D40TIG
GD25Q16CSIG
GD25LQ16TIG
GD25VQ20CTIG
GD25Q20UIPR
GD25Q21BTIG 內(nèi)存芯片
MD25D16SIG 內(nèi)存芯片
MD25D16CTIG
MD25D16CSIG
GD25VQ20AEIG
GD25VQ80AEIG
GD25VQ16AEIG
GD25LQ80SIGR
GD25LQ80SIGR
GD25Q80SIG
