SCTWA35N65G2V

發(fā)布時間:2022/10/25 17:01:00 訪問次數(shù):61

製造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): SiC
安裝風(fēng)格: ThroughHole
封裝/外殼: HiP-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1Channel
Vds-漏-源擊穿電壓: 650V
Id-C連續(xù)漏極電流: 45A
RdsOn-漏-源電阻: 67mOhms
Vgs-閘極-源極電壓: -10V,+22V
Vgsth-門源門限電壓: 5V
Qg-閘極充電: 73nC
最低工作溫度: -55C
最高工作溫度: +200C
Pd-功率消耗: 240W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
品牌: STMicroelectronics
產(chǎn)品類型: MOSFET
600
子類別: MOSFETs
每件重量: 6.100g