製造商: ROHMSemiconductor
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術(shù): SiC
安裝風格: ThroughHole
封裝/外殼: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1Channel
Vds-漏-源擊穿電壓: 1.2kV
Id-C連續(xù)漏極電流: 72A
RdsOn-漏-源電阻: 30mOhms
Vgs-閘極-源極電壓: -4V,+22V
Vgsth-門源門限電壓: 2.7V
Qg-閘極充電: 131nC
最低工作溫度: -55C
最高工作溫度: +175C
Pd-功率消耗: 339W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Tube
品牌: ROHMSemiconductor
配置: Single
下降時間: 29ns
互導-最小值: 10.8S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 42ns
系列: SCT3x
30
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1N-Channel
標準斷開延遲時間: 61ns
標準開啟延遲時間: 24ns
每件重量: 6g
SCT3030KLHRC11
發(fā)布時間:2022/10/25 17:09:00 訪問次數(shù):69
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