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      IRFB4020PBF

      發(fā)布時間:2022/11/8 17:53:00 訪問次數(shù):63

      IRFB4020PBF

      制造商: Infineon
      產(chǎn)品種類: MOSFET
      RoHS: 詳細(xì)信息
      技術(shù): Si
      安裝風(fēng)格: Through Hole
      封裝 / 箱體: TO-220-3
      晶體管極性: N-Channel
      通道數(shù)量: 1 Channel
      Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
      Id-連續(xù)漏極電流: 18 A
      Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 100 mOhms
      Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
      Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.8 V
      Qg-柵極電荷: 18 nC
      最小工作溫度: - 55 C
      最大工作溫度: + 175 C
      Pd-功率耗散: 100 W
      通道模式: Enhancement
      封裝: Tube
      商標(biāo): Infineon Technologies
      配置: Single
      下降時間: 6.3 ns
      正向跨導(dǎo) - 最小值: 24 S
      高度: 15.65 mm
      長度: 10 mm
      產(chǎn)品類型: MOSFET
      上升時間: 12 ns
      1000
      子類別: MOSFETs
      晶體管類型: 1 N-Channel
      典型關(guān)閉延遲時間: 16 ns
      典型接通延遲時間: 7.8 ns
      寬度: 4.4 mm
      零件號別名: IRFB4020PBF SP001564028
      單位重量: 2 g
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