商品目錄 場效應管(MOSFET)
類型 N溝道
漏源電壓(Vdss) 150V
連續(xù)漏極電流(Id) 85A
功率(Pd) 350W
導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) 15mΩ@10V,33A
閾值電壓(Vgs(th)@Id) 5V@250uA
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續(xù)漏極電流: 83 A
Rds On-漏源導通電阻: 12 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.8 V
Qg-柵極電荷: 71 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 330 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產品類型: MOSFET
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
零件號別名: IRFB4321PBF SP001577790
單位重量: 2 g
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