分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
單 IGBT
制造商
Microchip Technology
系列
POWER MOS 7®
包裝
管件
Product Status
在售
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值)
96 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)
140 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值)
3.9V @ 15V,35A
功率 - 最大值
540 W
開關(guān)能量
1mJ(開),1.185mJ(關(guān))
輸入類型
標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷
150 nC
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值
14ns/99ns
測(cè)試條件
800V,35A,5 歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)
85 ns
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3 變式
供應(yīng)商器件封裝
T-MAX™ [B2]
基本產(chǎn)品編號(hào)
APT35GP120