類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
單 IGBT
制造商
Microchip Technology
系列
POWER MOS 7®
包裝
管件
Product Status
在售
IGBT 類型
PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）
100 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)
250 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)（最大值）
2.7V @ 15V，65A
功率 - 最大值
833 W
開關(guān)能量
605μJ（開），896μJ（關(guān)）
輸入類型
標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷
210 nC
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值
30ns/91ns
測試條件
400V，65A，5 歐姆，15V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3 變式
基本產(chǎn)品編號(hào)
APT65GP60
