類別 分立半導體產(chǎn)品 單 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
23.8A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
160 毫歐 @ 9A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 750μA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
44 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2080 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
34W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
PG-TO220-FP
封裝/外殼
TO-220-3 整包
深圳市騰浩偉業(yè)電子有限公司
TEL:13420935820
