類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 單 FET，MOSFET
制造商
STMicroelectronics
FET 類型
P 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
10A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
180 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
16.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
864 pF @ 80 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
40W（Tc）
工作溫度
175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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