品牌：英飛凌
電流：75A
電壓：600V
工作溫度(Max)：150 ℃
工作溫度(Min)：-40 ℃
安裝方式：螺絲型
包裝方式：標(biāo)準(zhǔn)封裝
貨期期：2-3天
庫(kù)存：9999
發(fā)貨地：江蘇蘇州
開通延遲時(shí)間td是外施柵極脈沖從負(fù)到正跳變開始，到柵-射電壓充電到UGE th的時(shí)間。這以后集電極電流從0開始上升，到90%穩(wěn)態(tài)值的時(shí)間為電流上升時(shí)間tri。在這兩個(gè)時(shí)間內(nèi)，集-射極間電壓UCE基本不變。此后，UCE開始下降。下降時(shí)間tfu1是MOSFET工作時(shí)漏-源電壓下降時(shí)間tfu2是MOSFET和PNP晶體管同時(shí)工作時(shí)漏-源電壓下降時(shí)間；因此，IGBT開通時(shí)間為 ton=td+tr+tfu1+tfu2。
開通過(guò)程中，在td、tr時(shí)間內(nèi)，柵-射極間電容在外施正電壓作用下充電，且按指數(shù)規(guī)律上升，在tfu1、tfu2這一時(shí)間段內(nèi)MOSFET開通，流過(guò)對(duì)GTR的驅(qū)動(dòng)電流，柵-射極電壓基本維持IGBT完全導(dǎo)通后驅(qū)動(dòng)過(guò)程結(jié)束。柵-射極電壓再次按指數(shù)規(guī)律上升到外施柵極電壓值。
IGBT關(guān)斷時(shí)，在外施柵極反向電壓作用下，MOSFET輸入電容放電，內(nèi)部PNP晶體管仍然導(dǎo)通，在最初階段里，關(guān)斷的延遲時(shí)間td和電壓UCE的上升時(shí)間tr，由IGBT中的MOSFET決定。關(guān)斷時(shí)IGBT和MOSFET的主要差別是電流波形分為tfi1和tfi2兩部分，其中，tfi1由MOSFET決定，對(duì)應(yīng)于MOSFET的關(guān)斷過(guò)程；tfi2由PNP晶體管中存儲(chǔ)電荷所決定。因?yàn)樵趖fi1末尾MOSFET已關(guān)斷，IGBT又無(wú)反向電壓，體內(nèi)的存儲(chǔ)電荷難以被迅速消除；所以漏極電流有較長(zhǎng)的下降時(shí)間。因?yàn)榇藭r(shí)漏源電壓已建立，過(guò)長(zhǎng)的下降時(shí)間會(huì)產(chǎn)生較大的功耗，使結(jié)溫增高；所以希望下降時(shí)間越短越好。
英飛凌 FZ1600R17KE3
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