品牌：英飛凌
電流：300A
電壓：700V
工作溫度(Max)：150 ℃
工作溫度(Min)：-40 ℃
安裝方式：螺絲型
包裝方式：標(biāo)準(zhǔn)封裝
貨期期：2-3天
庫存：9999
發(fā)貨地：江蘇蘇州
開通延遲時間td是外施柵極脈沖從負到正跳變開始，到柵-射電壓充電到UGE th的時間。這以后集電極電流從0開始上升，到90%穩(wěn)態(tài)值的時間為電流上升時間tri。在這兩個時間內(nèi)，集-射極間電壓UCE基本不變。此后，UCE開始下降。下降時間tfu1是MOSFET工作時漏-源電壓下降時間tfu2是MOSFET和PNP晶體管同時工作時漏-源電壓下降時間；因此，IGBT開通時間為 ton=td+tr+tfu1+tfu2。
開通過程中，在td、tr時間內(nèi)，柵-射極間電容在外施正電壓作用下充電，且按指數(shù)規(guī)律上升，在tfu1、tfu2這一時間段內(nèi)MOSFET開通，流過對GTR的驅(qū)動電流，柵-射極電壓基本維持IGBT完全導(dǎo)通后驅(qū)動過程結(jié)束。柵-射極電壓再次按指數(shù)規(guī)律上升到外施柵極電壓值。
IGBT關(guān)斷時，在外施柵極反向電壓作用下，MOSFET輸入電容放電，內(nèi)部PNP晶體管仍然導(dǎo)通，在最初階段里，關(guān)斷的延遲時間td和電壓UCE的上升時間tr，由IGBT中的MOSFET決定。關(guān)斷時IGBT和MOSFET的主要差別是電流波形分為tfi1和tfi2兩部分，其中，tfi1由MOSFET決定，對應(yīng)于MOSFET的關(guān)斷過程；tfi2由PNP晶體管中存儲電荷所決定。因為在tfi1末尾MOSFET已關(guān)斷，IGBT又無反向電壓，體內(nèi)的存儲電荷難以被迅速消除；所以漏極電流有較長的下降時間。因為此時漏源電壓已建立，過長的下降時間會產(chǎn)生較大的功耗，使結(jié)溫增高；所以希望下降時間越短越好。
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