製造商: onsemi
產(chǎn)品類型: IGBT 電晶體
技術(shù): Si
封裝/外殼: TO-247-3
安裝風(fēng)格: Through Hole
配置: Single
集電極-發(fā)射極最大電壓VCEO: 650 V
集電極-發(fā)射極飽和電壓: 1.57 V
柵極發(fā)射機(jī)最大電壓: - 20 V, + 20 V
連續(xù)集電極電流在25 C: 42 A
Pd - 功率消耗 : 230.8 W
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
封裝: Tube
品牌: onsemi
產(chǎn)品類型: IGBT Transistors
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子類別: IGBTs
