製造商: Infineon
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝/外殼: PG-TO220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 40 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 193 A
Rds On - 漏-源電阻: 1.5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門(mén)源門(mén)限電壓 : 3.4 V
Qg - 閘極充電: 106 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 188 W
通道模式: Enhancement
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 20 ns
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 42 ns
1000
子類(lèi)別: MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)斷開(kāi)延遲時(shí)間: 47 ns
標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)啟延遲時(shí)間: 20 ns
零件號(hào)別名: IPP015N04NF2S SP005632892
