製造商: Infineon
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝/外殼: TO220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 198 A
Rds On - 漏-源電阻: 1.4 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.1 V
Qg - 閘極充電: 203 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 300 W
通道模式: Enhancement
系列: XPP014N06
封裝: Tube
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 25 ns
互導(dǎo) - 最小值: 140 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 34 ns
1000
子類別: MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時間: 69 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時間: 26 ns
零件號別名: IPP014N06NF2S SP005742469
