製造商: Infineon
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: HSOG-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 150 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 190 A
Rds On - 漏-源電阻: 3.9 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 3 V
Qg - 閘極充電: 74 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 319 W
通道模式: Enhancement
系列: IPTG039N15
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 5.5 ns
互導(dǎo) - 最小值: 110 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 4.5 ns
1800
子類別: MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時(shí)間: 23.5 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時(shí)間: 19 ns
零件號(hào)別名: IPTG039N15NM5 SP005676943
