製造商: Vishay
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術(shù): Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 200 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 4.8 A
Rds On - 漏-源電阻: 800 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2 V
Qg - 閘極充電: 14 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 42 W
通道模式: Enhancement
封裝: Bulk
品牌: Vishay Semiconductors
下降時間: 13 ns
互導 - 最小值: 1.7 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 22 ns
2000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 19 ns
標準開啟延遲時間: 7.2 ns
