製造商: Infineon
產(chǎn)品類型: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: PG-WHSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 21 A
Rds On - 漏-源電阻: 3 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 3.3 V
Qg - 閘極充電: 49 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 2.5 W
通道模式: Enhancement
品牌: Infineon Technologies
下降時間: 5.7 ns
互導(dǎo) - 最小值: 66 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 5.7 ns
6000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時間: 18.8 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時間: 10 ns
零件號別名: IQE030N06NM5SC SP005559064
