製造商: Infineon
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: ThroughHole
封裝/外殼: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1Channel
Vds-漏-源擊穿電壓: 650V
Id-C連續(xù)漏極電流: 17.5A
RdsOn-漏-源電阻: 190mOhms
Vgs-閘極-源極電壓: -30V,+30V
Vgsth-門源門限電壓: 4V
Qg-閘極充電: 68nC
最低工作溫度: -55C
最高工作溫度: +150C
Pd-功率消耗: 151W
通道模式: Enhancement
公司名稱: CoolMOS
系列: CoolMOSCFD2
封裝: Tube
品牌: InfineonTechnologies
配置: Single
下降時間: 6.4ns
高度: 15.65mm
長度: 10mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 8.4ns
500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1N-Channel
寬度: 4.4mm
零件號別名: SP000881160IPP65R19CFDXKIPP65R190CFDXKSA1
每件重量: 2g
IPP65R190CFD
發(fā)布時間:2023/2/7 17:11:00 訪問次數(shù):67 發(fā)布企業(yè):深圳市科雨電子有限公司
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