IPP016N06NF2SAKMA1

IPP016N06NF2SAKMA1

製造商: Infineon
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: ThroughHole
封裝/外殼: TO220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1Channel
Vds-漏-源擊穿電壓: 60V
Id-C連續(xù)漏極電流: 194A
RdsOn-漏-源電阻: 1.6mOhms
Vgs-閘極-源極電壓: -20V,+20V
Vgsth-門源門限電壓: 2.1V
Qg-閘極充電: 155nC
最低工作溫度: -55C
最高工作溫度: +175C
Pd-功率消耗: 250W
通道模式: Enhancement
系列: XPP016N06
封裝: Tube
品牌: InfineonTechnologies
配置: Single
下降時間: 27ns
互導-最小值: 130S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 34ns
1000
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 65ns
標準開啟延遲時間: 27ns
零件號別名: IPP016N06NF2SSP005742470