制造商: Qorvo
產(chǎn)品種類: 射頻結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(RF JFET)晶體管
RoHS: 詳細(xì)信息
晶體管類型: JFET
技術(shù): GaN-on-SiC
工作頻率: DC to 1.7 GHz
增益: 18 dB
晶體管極性: P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: -
Vgs-柵源極擊穿電壓 : -
Id-連續(xù)漏極電流: 1 A
輸出功率: 537 W
最大漏極/柵極電壓: 50 V
最小工作溫度: -
最大工作溫度: -
Pd-功率耗散: 714 W
安裝風(fēng)格: Flange Mount
封裝 / 箱體: NI-780
商標(biāo): Qorvo
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: RF JFET Transistors
系列: QPD1016L
工廠包裝數(shù)量: 25
子類別: Transistors
QPD1016L
發(fā)布時(shí)間:2023/2/9 14:33:00 訪問次數(shù):52
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