FGL40N120ANDTU

製造商: onsemi
產(chǎn)品類型: IGBT 電晶體
RoHS: 詳細資料
技術(shù): Si
封裝/外殼: TO-264-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極-發(fā)射極最大電壓VCEO: 1.2 kV
集電極-發(fā)射極飽和電壓: 2.6 V
柵極發(fā)射機最大電壓: - 25 V, + 25 V
連續(xù)集電極電流在25 C: 64 A
Pd - 功率消耗 : 500 W
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
系列: FGL40N120AND
封裝: Tube
品牌: onsemi / Fairchild
集電極最大連續(xù)電流Ic : 64 A
高度: 26 mm
長度: 20 mm
產(chǎn)品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數(shù)量: 375
子類別: IGBTs
寬度: 5 mm
零件號別名: FGL40N120ANDTU_NL
每件重量: 6.800 g