CSD17311Q5

製造商: Texas Instruments
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: VSON-CLIP-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 30 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On - 漏-源電阻: 2.3 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 8 V, + 10 V
Vgs th - 門(mén)源門(mén)限電壓 : 1.2 V
Qg - 閘極充電: 24 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 3.2 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: NexFET
系列: CSD17311Q5
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Texas Instruments
配置: Single
下降時(shí)間: 12 ns
互導(dǎo) - 最小值: 200 S
高度: 1 mm
長(zhǎng)度: 6 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 18 ns
原廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: 30V N-Channel NexFET Power MOSFET
標(biāo)準(zhǔn)斷開(kāi)延遲時(shí)間: 33 ns
標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)啟延遲時(shí)間: 12 ns
寬度: 5 mm
每件重量: 250 mg