CSD85301Q2T

製造商: Texas Instruments
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: WSON-FET-6
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 20 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 5 A
Rds On - 漏-源電阻: 27 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 10 V, + 10 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 600 mV
Qg - 閘極充電: 5.4 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 2.3 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: NexFET
系列: CSD85301Q2
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Texas Instruments
配置: Dual
下降時間: 15 ns
高度: 0.75 mm
長度: 2 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 26 ns
原廠包裝數(shù)量: 250
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時間: 14 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時間: 6 ns
寬度: 2 mm
每件重量: 9.700 mg