78L12MG-SOT89R-TG_UTC代理商導(dǎo)讀
UCS165XS 有非常低的啟動電流（<5uA）和較低的起始電壓，并且內(nèi)含高壓啟動開關(guān)，與常規(guī)PWM IC 相比，可大限度地減少外部電路之啟動功耗損失，同時又能保障啟動速度最快，對VCC 腳位電容值的上限限制極低。
啟動電容建議選用電解電容（供電）和SMD 陶瓷電容（高頻濾波）并聯(lián)配套使用，啟動電容可選2.2~10uF 的電容，SMD 陶瓷選用100nF。
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2SD669AL-TO126T-D-TG
當(dāng)VCC 電壓高于26V 時，gate 信號立即停止ON/OFF，功率管關(guān)閉，動作如圖4 所示。過電壓保護（OVP）為保護功率MOSFET 不受損壞，IC 在VCC 腳位增加過電壓保護功能。一旦OVP 發(fā)生，功率管關(guān)閉，如果過電壓解除，系統(tǒng)將在下一次上電后恢復(fù)正常工作。VCC 過壓保護功能是自動恢復(fù)重啟的保護。
高壓啟動開關(guān)控制 VCC 電容的啟動，傳統(tǒng)開關(guān)電源控制器都是外接啟動電阻對IC 的VCC 腳位電容充電啟動，UCS165XS 系列責(zé)使用內(nèi)含高壓啟動開關(guān)從功率管drain 腳位抽取線輸入電流進行恒流啟動，啟動恒定電流約為600uA，其優(yōu)點是無論線輸入電壓高低，充電電流恒定，避免了傳統(tǒng)開關(guān)電源系統(tǒng)外接電阻啟動在低輸入線電壓條件下的啟動電流極低的尷尬，因此UCS165XS 系列啟動速度極快，對高值電容限制低。
U74LVC1G07G-SOT353R-TG U74LVC1G08G-SOT353R-TG PUMX1G-SOT363R-TG TL431G-SOT23.3R-ATG U74LV1T08G-SOT353R-TG MMBT4401G-SOT23.3R-TG MMBT5551G-SOT23.3R-B-TG 2N7002KG-SOT23.3R-TG TL431G-SC59.3R-ATG 。
（2）根據(jù)不同的工藝又分為 Trench MOS：溝槽型MOS，主要低壓領(lǐng)域100V內(nèi)； SGT (Split Gate)MOS：分裂柵MOS，主要中低壓領(lǐng)域200V內(nèi)； SJ MOS：超結(jié)MOS，主要在高壓領(lǐng)域 600-800V；。（1）主要選型參數(shù)：漏源電壓VDS（耐壓），ID 連續(xù)漏電流，RDS(on) 導(dǎo)通電阻，Ciss 輸入電容（結(jié)電容），品質(zhì)因數(shù)FOM=Ron * Qg等。
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UTC代理商
。其具有高壓啟動功能，方便客戶滿足待機效率的六級能效設(shè)計。UCS165XS 是一款最新的PWM IC，利用混合操作模式（PWM/PFM/Burst）達到高效率，滿足六級能效標(biāo)準(zhǔn)。
78D05AG-TO252R-TG BSS127ZG-SOT23.3R-TG SB260G-SMAR-TW1M1G NE555G-SOP8R-TG 2SC2655L-TO92NLB-Y-TG 。
9NM50G-TO252R-TG BC808L-SOT23.3R-25-TG LR9102G-SC59.5R-18-TG LM358G-SOP8R-2TW2G BC847G-SOT23.3R-B-TG 。
MMBT1815G-SOT23.3R-BL-TG LD1117AG-SOT223R-33-ATZ4GQ LM324G-SOP14R-2TG 2SD1857G-SOT223R-Q-TM1G UPC817DG-SMD4R-TUG 。
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IC 內(nèi)部所有功能塊開始工作，之后的時間里Drain 腳位僅受內(nèi)部功率管控制。
在IC 的VCC 腳位上電過程中，內(nèi)部高壓啟動開關(guān)管通過Drain 腳位對VCC 腳位電容充電，VCC 上電到VCCon 后，內(nèi)部高壓啟動開關(guān)關(guān)閉，停止對VCC 腳位電容充電，啟動過程結(jié)束。
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