78L08G-SOP8R-TG_UTC代理商導(dǎo)讀
U74HC165是一個(gè)8位并行負(fù)載移位寄存器，具備互補(bǔ)串行輸出的功能，且可直接覆蓋負(fù)載數(shù)據(jù)輸入和門控時(shí)鐘輸入，并可實(shí)現(xiàn)并行到串行的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換。
啟動(dòng)電容建議選用電解電容（供電）和SMD 陶瓷電容（高頻濾波）并聯(lián)配套使用，啟動(dòng)電容可選2.2~10uF 的電容，SMD 陶瓷選用100nF。
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LADLD37G-HSOP8R-TG
（2）根據(jù)不同的工藝又分為 Trench MOS：溝槽型MOS，主要低壓領(lǐng)域100V內(nèi)； SGT (Split Gate)MOS：分裂柵MOS，主要中低壓領(lǐng)域200V內(nèi)； SJ MOS：超結(jié)MOS，主要在高壓領(lǐng)域 600-800V；。（1）主要選型參數(shù)：漏源電壓VDS（耐壓），ID 連續(xù)漏電流，RDS(on) 導(dǎo)通電阻，Ciss 輸入電容（結(jié)電容），品質(zhì)因數(shù)FOM=Ron * Qg等。
不同功率半導(dǎo)體器件 ，其承受電壓 、電流容量 、阻抗能力 、體積大小等特性也會(huì)不同 ，實(shí)際使用中 ， 需要根據(jù)不同領(lǐng)域 、不同需求來選用合適的器件。
待機(jī)時(shí)輔助線圈對(duì)VCC 電容充電電流較小，IC 靜態(tài)功耗沒有太大變化，因此導(dǎo)致待機(jī)進(jìn)入burst mode 后，VCC 電容電壓會(huì)在OFF time 中容易觸碰VCCMIN，發(fā)生VCC自動(dòng)重啟誤動(dòng)作。
82N30G-SC59.3R-5TG LM393G-SOP8R-TG 2N7002ZDWG-SOT363L-TEG TL431G-TO92B-ATTG 75232G-TSSOP20R-TW2G 。
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UTC代理商
建議VCC 腳位旁邊并聯(lián)一個(gè)高頻濾波電容（例如100nF MLCC），增加IC 工作穩(wěn)定性，避免高頻干擾。
U74LVC2G07G-SOT363R-TG 10N80L-TO220F1T-TGCQ 2SA1020G-SOT89R-Y-TG MBR10200CL-TO220T-TG UPC817BG-SMD4R-TG 。
SB360G-DO201ADB-TG U74HC00G-SOP14R-TG U74LVC2G04G-SOT363R-TG 8133G-SC59.3R-2TSG 2SA1015L-TO92B-BL-TG 。
U74AUP1G57G-SOT363R-TG ULN2003G-SOP16R-TW5G U74LVC1G14G-SOT353R-TG K1109G-SOT23.3R-J35-DTG U74LVC1G08G-SC59.5R-TG 。
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IIoT背后的理念是通過數(shù)字化整個(gè)工業(yè)運(yùn)營鏈來提高生產(chǎn)率，并基于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)建立洞察力。新的技術(shù)能力也有助于制造商從對(duì)工廠自動(dòng)化設(shè)備的投入中獲得更多的價(jià)值。
電路初級(jí)側(cè)主回路由C1 正端變壓器MOSFET R14、R15 C1 地端，此為電路中大開關(guān)干擾源，此回路元器件盡量靠近以縮短路徑線長及回路面積，并遠(yuǎn)離小信號(hào)回路以及UCS165XS 本體，且接地1 之間的連接線路需要保持最短并且寬原則。
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