參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
IPW65R110CFDA
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
1205102588
零件包裝代碼
TO-247
包裝說明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
針數(shù)
3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代碼
EAR99
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
6.74
Samacsys Manufacturer
Infineon
Samacsys Modified On
2020-11-30 19:47:12
YTEOL
6.55
其他特性
HIGH RELIABILITY
雪崩能效等級(jí)（Eas）
845 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
650 V
最大漏極電流 (ID)
31.2 A
最大漏源導(dǎo)通電阻
0.11 Ω
FET 技術(shù)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-247
JESD-30 代碼
R-PSFM-T3
JESD-609代碼
e3
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
FLANGE MOUNT
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大脈沖漏極電流 (IDM)
99.6 A
參考標(biāo)準(zhǔn)
AEC-Q101
表面貼裝
NO
端子面層
TIN
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
晶體管應(yīng)用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
