類型 簡單復(fù)位/加電復(fù)位：TLV809J25
輸出 推挽式，圖騰柱
復(fù)位 低有效
復(fù)位超時 最小為 120 ms
電壓 - 閾值 2.25V
工作溫度 -40°C ~ 85°C
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TLV809J25 目前許多公司、大學(xué)和研究實驗室正在探索的是磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)。MRAM有磁化切換(Toggle)和旋轉(zhuǎn)扭矩(Spin-torque)兩個版本。
MRAM是由兩個金屬接觸層組成。介于兩者之間的金屬接觸層有兩層磁性材料，由絕緣體隔開，其中一個固定在極化方向，另一個可轉(zhuǎn)換。如果兩個磁性材料有相同極化方向，該記憶體儲存格處于低阻狀態(tài)。反之，若兩者有相反的極化方向，記憶體則在高阻狀態(tài)。
切換磁化MRAM程式編程時TLV809J25 ，電流會導(dǎo)入編織在磁性材料上下的金屬線，產(chǎn)生局部磁場。施加于兩線之間的電流的序列決定磁性層其中一個極化方向，以相對于另一個產(chǎn)生的方向。
旋轉(zhuǎn)扭矩MRAM程式編程時，電流實際流經(jīng)整個材料堆疊層。大多數(shù)在固定磁層內(nèi)的電子會在同一個方向旋轉(zhuǎn)。根據(jù)電流通過固定磁性材料的方向，固定磁層的電子會與其他磁層中的電子互動，迫使固定磁層電子的自旋方向相反或相同。
切換磁化MRAM目前的量產(chǎn)容量從256Kb?16Mb。TLV809J25 切換磁化MRAM具有快速讀/寫存取時間和無限讀/寫周期。擴展切換磁化MRAM到較小的幾何空間和較大的容量具有高度挑戰(zhàn)性。至于另一方案，旋轉(zhuǎn)扭矩MRAM可擴充性預(yù)期較高，且切換電流較小。盡管如此，旋轉(zhuǎn)扭矩MRAM仍處于研究階段。旋轉(zhuǎn)扭矩MRAM所面臨的挑戰(zhàn)是如何能達到可重制、可重復(fù)交換，同時保有可靠性的要求。
MRAM、PCRAM和RRAM要成為主要的記憶體技術(shù)，將高度依賴新材料的創(chuàng)新。另一方面，平面電荷擷取NAND和3D NAND可以利用現(xiàn)有的材料，并快速成為商業(yè)上可行、高容量浮動閘極NAND的替代產(chǎn)品
