技術(shù):
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝/外殼:
PowerPAK SO-8DC
晶體管極性:
N-Channel
通道數(shù):
1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:
80 V
Id - C連續(xù)漏極電流:
153 A
Rds On - 漏-源電阻:
2.9 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :
4 V
Qg - 閘極充電:
28 nC
最低工作溫度:
- 55 C
最高工作溫度:
+ 175 C
Pd - 功率消耗 :
150 W
通道模式:
Enhancement
系列:
SiDR5802EP
封裝:
Reel
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
品牌:
Vishay Semiconductors
下降時間:
13 ns
互導(dǎo) - 最小值:
49 S
產(chǎn)品類型:
MOSFET
上升時間:
16 ns
SIDR5802EP-T1-RE3
發(fā)布時間:2023/4/3 9:34:00 訪問次數(shù):55 發(fā)布企業(yè):深圳市科雨電子有限公司
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