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數(shù)據(jù)列表：IRFD120
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：1.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：270 毫歐 @ 780mA，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：16nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds：360pF @ 25V
功率 - 最大：1.3W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：4-DIP（0.300"，7.62mm）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-DIP，Hexdip，HVMDIP
包裝：管件
其它名稱：*IRFD120PBF
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